sedispondrándispositivosdecorteporintensidaddedefecto,medianteinterruptoresdiferenciales,consensibilidadmáóncontraelectricidadestática,deberárealizarseunauniónequipotencialdemasas,ánestarconectadasaestared,tanquesdealmacenamiento,tuberías,estructurasmetálicas,aparatossurtidores,asícomolosconductoresdeproteccióndelosaparatoseléé)Cuadrogeneraleléctrico:ElgradodeprotecciónmínimoserádeIP237,segú)únelReglamentoElectrotécnicodeBajaTensióneICcorrespondientes,laaparamentaaincluirenelcuadroconstará:1.oInterruptorautomá.oInterruptoresautomáticos(PIA)paraproteccióndelí.oInterruptoresdiferencialesparalaproteccióóánunsistemadepuestaatierradelascisternasdeloscamiones,paradescargarlaelectricidadestáácompuestocomosigue:Uncableconectadoporunextremoalareddepuestaatierra,elotroextremoprovistodeunapinzaseconectaráaunterminalsituadoenelvehículoeníáextraflexibleconaislamiento。BOE蝕刻液請認準蘇州博洋化學。專業BOE蝕刻液銷售價格
所述的磷酸濃度為82-87%。進一步地,本發明涉及上述蝕刻液,醇醚類的含量為%。進一步地,本發明涉及上述蝕刻液,表面活性劑的含量為%。進一步地,本發明涉及上述蝕刻液,所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種;表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進一步地,在使用本發明的蝕刻液進行氮化硅層蝕刻時,蝕刻溫度為152-165℃,蝕刻時間為5-60min。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,改善了磷酸的浸潤性和表面張力,明顯提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕和蝕刻均勻性。為了便于驗證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性,本發明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后,先使用表面張力儀檢測該蝕刻液的表面張力;然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片,采用超純水清洗和氮氣吹干后,使用接觸角測量儀檢測蝕刻液對氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前,使用橢圓偏振光譜儀對氮化硅樣片取不同位置共6個點進行厚度的測量。福建電子級BOE蝕刻液產品介紹蘇州博洋專業生產BOE蝕刻液歡迎詢價。
本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,來改善磷酸的浸潤性和表面張力,使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術:氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料,氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中,一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻,一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展,器件的特征尺寸越來越小,集成度越來越高,對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高,如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時,晶圓表面會出現不均勻的現象,體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時,檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素:本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,所述蝕刻液的組成包括:占蝕刻液總重量≥88%的磷酸、%的醇醚類、%的表面活性劑。進一步地,本發明涉及上述蝕刻液。
添加劑為二乙二醇單甲醚、三乙二醇乙醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,添加量分別為%、%、%。實施例6本發明的實施例按蝕刻液總質量為400g進行配制,先稱取濃度為85%的磷酸,然后稱取添加劑加入磷酸中,該實施例中所含成分及各成分稱取的質量顯示于表1。添加劑為丙二醇丁醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、月桂酰氨乙基硫酸鈉,添加量分別為總質量的%、%、%。對照例對照例中所含成分顯示于表1,并采用與實施例相同的方法進行處理。對照例1為純磷酸,總質量為400g。對照例2為磷酸、丙二醇丁醚,其中丙二醇丁醚的添加量為總質量的%。對照例3為磷酸、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,其中脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p的添加量為總質量的%。結果如表2所示,與對照例蝕刻液相比,實施例蝕刻液有更低的表面張力和接觸角,并且氮化硅層蝕刻后顯示出良好的均勻性。表1表2顯然,上述實施例和對照例是為了清楚地說明所作的實例,而并非對實施方式的限制。對于所屬領域的技術人員來說,在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動,這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而因此所引申的顯而易見的變化或變動仍處于本發明創造的保護范圍之內。博洋 BOE 蝕刻液有妙招,個性化解決方案為您排憂解難。
此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。參照圖1,本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統包括:電解槽1、射流器2、再生液調配缸3、液體泵4,其中,電解槽1具有一出液口和出氣口,且電解槽1中內置有酸性蝕刻液,電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅,產生氯氣,得到電解后液,并且,產生的氯氣通過位于上方的出氣口排出,電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22,混氣室21和擴散管22之間為喉管,混氣室21具有進氣口2a、進液口2b、出液口2c,擴散管22連接至出液口2c,進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣,擴散管22深入到再生液調配缸3中。再生液調配缸3具有進液口和循環出液口,進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調配缸3的循環出液口,另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b,用于將再生液調配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b。電解槽1電解提銅后,陽極產生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內,電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21,在混氣室21形成真空,在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。優先蘇州博洋化學股份有限公司。福建電子級BOE蝕刻液產品介紹
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