晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個極:陽極,陰極和控制極;晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。晶閘管為半控型電力電子器件。新疆哪里有晶閘管模塊推薦貨源
α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管(英語:Thyristor),簡稱晶閘管,指的是具有四層交錯P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器(SiliconControlledRectifier,SCR),中國大陸通常簡稱可控硅,又稱半導(dǎo)體控制整流器,是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)作用,并體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),***用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展,其中一個分支即是以集成電路為**的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年。上海國產(chǎn)晶閘管模塊晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,觸發(fā)導(dǎo)通,反向阻斷。
1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時,可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標(biāo)作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,因而在選用的時候,額定電壓一個應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平均值,稱為額定通態(tài)平均電流IT,簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安~一百多毫安,其數(shù)值與元件的溫度成反比,在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個電流時,晶閘管將自動關(guān)斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型:晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。
人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點(diǎn)。一、關(guān)斷時間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管,當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”,這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間,叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程,實(shí)際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通,然后逐漸向外擴(kuò)展,直到整個面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管需要50~100微秒以上才能***積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時,必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此,仿造了集成電路的方法,在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管。控制極觸發(fā)小晶閘管后,小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極,觸發(fā)主晶閘管。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。
晶閘管模塊需通過IEC 60747標(biāo)準(zhǔn)測試:1)高溫阻斷(150℃下施加80%額定電壓1000小時,漏電流<10mA);2)功率循環(huán)(ΔTj=100℃,次數(shù)>5萬次,熱阻變化<10%);3)濕度試驗(yàn)(85℃/85%RH,1000小時,絕緣電阻>1GΩ)。主要失效模式包括:1)門極氧化層破裂(占故障35%),因觸發(fā)電流過沖導(dǎo)致;2)芯片邊緣電場集中引發(fā)放電,需優(yōu)化臺面造型和鈍化層(如Si?N?/SiO?復(fù)合層);3)壓接結(jié)構(gòu)應(yīng)力松弛,采用有限元分析(ANSYS)優(yōu)化接觸壓力分布。加速壽命模型(Coffin-Manson方程)預(yù)測模塊在5kA工況下的壽命超15年。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。吉林國產(chǎn)晶閘管模塊現(xiàn)貨
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路。新疆哪里有晶閘管模塊推薦貨源
⑿脈沖輸出:六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度:2個20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度:≤°;脈沖電流峰值:>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時間≤10ms,超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動、急停功能。⒂比較大外形尺寸:235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動調(diào)整功能,有效提高電能利用效率。◆先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù),改善了電網(wǎng)功率因數(shù),可以有效節(jié)省用電量。◆具有移相觸發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,撥動選擇開關(guān),即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換。◆多種控制信號輸入:DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關(guān)量觸點(diǎn)。◆適用于多種類型負(fù)載:恒阻性負(fù)載、變阻性負(fù)載、感性負(fù)載(變壓器一次側(cè))。◆具有完善的自我檢測,齊全的故障保護(hù)功能,確保安全穩(wěn)定運(yùn)行。◆輸入、輸出端口均采用光電隔離技術(shù),抗干擾能力強(qiáng),安全性能高。◆通訊功能強(qiáng)大、標(biāo)準(zhǔn)ModbusRTU通信協(xié)議,方便聯(lián)機(jī)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)控制。◆內(nèi)置報警蜂鳴器,無須任何額外接線就能輕松實(shí)現(xiàn)音響報警。新疆哪里有晶閘管模塊推薦貨源