南通C0G電容規格

電容與直流偏置電壓的關系：***類型電介質電容器的電容與DC偏置電壓無關。第二類型電介質電容器的電容隨DC偏壓而變化，陶瓷電容器允許負載的交流電壓與電流和頻率的關系主要受電容器ESR的影響；相對來說，C0G的ESR比較低，所以可以承受比較大的電流，對應的允許施加的交流電壓也比較大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比較大，可以承受C0G以下。同時由于電容遠大于C0G，所以施加的電壓會比C0G小很多。1類介質電容器允許電壓、電流和頻率的解釋當負載頻率較低時，即使負載的交流電壓為額定交流電壓，當流經電容器的電流低于額定電流時，允許電容器負載額定交流電壓，即平坦部分；電解電容被普遍應用在各類電路中。南通C0G電容規格

陶瓷介質電容器的絕緣體材料主要采用陶瓷，其基本結構是陶瓷與內電極相互重疊。有幾種陶瓷。由于電子產品無害，尤其是無鉛，介電系數高的PB(鉛)退出了陶瓷電容器領域，現在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3、CaZrO3(鋯酸鈣)等。與其他電容器相比，它具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產、價格低廉等優點。由于原材料豐富、結構簡單、價格低廉、電容范圍寬(通常為幾PF到幾百F)、損耗小，電容的溫度系數可以根據需要在很寬的范圍內調節。北京陶瓷片電容品牌電解電容器多數采用卷繞結構，很容易擴大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。

鉭電容器成本高。看看我們的淘寶就知道100uF鉭電容和100uF陶瓷電容的價格差了。鉭電容的價格是陶瓷電容的10倍左右。如果電容要求小于100uF，大多數情況下，如果滿足耐壓，我們通常需要陶瓷電容。陶瓷電容器的封裝大于1206大容量或高耐壓時盡量慎重選擇。片式陶瓷電容器的主要失效形式是斷裂(封裝越大越容易失效):片式陶瓷電容器常見的失效形式是斷裂，這是由片式陶瓷電容器本身介質的脆性決定的。由于片式陶瓷電容焊接直接在電路板上，直接承受來自電路板的各種機械應力，而鉛制陶瓷電容可以通過引腳吸收來自電路板的機械應力。因此，對于片式陶瓷電容器，由于熱膨脹系數不同或電路板彎曲，

電容允許偏差：這個上期我們講安規電容的作用時又提起過，顧名思義，這就是電容的較大允許偏差范圍。常用的容量誤差為：J表示允許偏差±5%,K表示允許偏差±10%,M表示允許偏差±20%。額定工作電壓：在電路中能長時間穩定、可靠地工作，并能承受較大直流電壓，也叫耐壓。對結構、容量一樣的電子器件，耐壓越高，體積越大。損耗：貼片陶瓷電容在電場的作用下，由于每單位時間產生熱量而消耗能量。這種損失主要來源于介質損失和金屬損失。一般都是以損耗角正切值表示的。上述就是關于貼片陶瓷電容的一些基本常識，想要了解更多電容相關咨詢的，可關注江蘇芯聲微電子科技。鉭電容的容值的溫度穩定性比較好。

陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發明了陶瓷介質電容器。20世紀30年代末，人們發現在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質電容器。1940年左右，人們發現陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發。到1970年，隨著混合集成電路、計算機和便攜式電子設備的發展，它迅速發展起來，成為電子設備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質電容器的總數量約占電容器市場的70%。軟端電容通過柔性電極設計適配復雜機械應力場景，其中心價值在于平衡可靠性、小型化與電氣性能。南通C0G電容規格

MLCC 它是電子信息產業較為重要的電子元件之一。南通C0G電容規格

MLCC除有電容器“隔直通交”的通性特點外，其還有體積小，比容大，壽命長，可靠性高，適合表面安裝等特點。隨著世界電子行業的飛速發展，作為電子行業的基礎元件，片式電容器也以驚人的速度向前發展，每年以10%～15%的速度遞增。目前，世界片式電容的需求量在2000億支以上，70%出自日本（如MLCC大廠村田muRata），其次是歐美和東南亞（含中國）。隨著片容產品可靠性和集成度的提高，其使用的范圍越來越廣，普遍地應用于各種軍民用電子整機和電子設備。如電腦、電話、程控交換機、精密的測試儀器、雷達通信等。南通C0G電容規格