SiP技術特點：制造工藝，SiP的制造涉及多種工藝，包括：基板技術：提供電氣連接和物理支持的基板，可以是有機材料（如PCB）或無機材料（如硅、陶瓷）。芯片堆疊：通過垂直堆疊芯片來節省空間，可能使用通過硅孔（TSV）技術來實現內部連接。焊接和鍵合：使用焊球、金線鍵合或銅線鍵合等技術來實現芯片之間的電氣連接。封裝：較終的SiP模塊可能采用BGA（球柵陣列）、CSP（芯片尺寸封裝）或其他封裝形式。SiP 封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。在電源、車載通訊方面也開始進行了 SiP 探索和開發實踐。山西MEMS封裝工藝
SiP還具有以下更多優勢：小型化 – 半導體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實在物聯網設備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當系統中只有幾個組件可以縮小時，維護起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因為它可以提供更好的芯片集成和更緊密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統的整體尺寸減小多達65%。簡化 – SiP方法允許芯片設計人員使用更抽象的構建模塊，從而具有更高的周轉率和整體更短的設計周期的優勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經經過驗證的模塊的測試。山西MEMS封裝工藝預計到2028年，SiP系統級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。
SiP 封裝優勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個殼體內，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進的封裝技術可以實現多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個封裝殼體內，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。
對于堆疊結構，可以區分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術。這較初是作為一種將兩個內存芯片放在一個封裝中以使內存密度翻倍的方法而開發的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經常使用術語“堆疊芯片”。技術已經進步，可以堆疊許多芯片，但總數量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術已被證明可以多達 24 個芯片堆疊。然而，大多數使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術的來解決復雜的測試、良率和運輸挑戰。芯片堆疊也普遍應用在傳統的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。Sip這種創新性的系統級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。
SiP具有以下優勢：小型化 – 半導體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實在物聯網設備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當系統中只有幾個組件可以縮小時，維護起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因為它可以提供更好的芯片集成和更緊密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統的整體尺寸減小多達65%。簡化 – SiP方法允許芯片設計人員使用更抽象的構建模塊，從而具有更高的周轉率和整體更短的設計周期的優勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經經過驗證的模塊的測試。SiP系統級封裝技術將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。山東WLCSP封裝方式
據報告，2022年，SiP系統級封裝市場總收入達到212億美元。山西MEMS封裝工藝
突破「微小化」競爭格局，憑借異質整合微小化優勢，系統級封裝能集成不同制程技術節點 (technology node)，不同功能、不同供貨商，甚至是不同半導體原材料的組件，整體可為產品節省約30-40%的空間，也能依據需求客制模塊外型并一定程度簡化系統主板設計，讓主板、天線及機構的設計整合上更加有彈性。同時，相較于IC制程的開發限制，系統整合模塊可以在系統等級功能就先進行驗證與認證，加速終端產品開發，集中系統產品研發資源。 SiP技術是全球封測業者較看重的焦點，系統級封裝(SiP)技術的突破正在影響產業供應鏈、改變競爭格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產品就開始進行布局、站穩腳步，積累多年在射頻、穿戴式裝置等產品的豐富制程經驗，透過「一站式系統級封裝服務」協助客戶實現構想。 山西MEMS封裝工藝