相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現代在電氣行業的不斷發展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數有哪些你知道嗎?下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數有:
(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。 淄博正高電氣有限公司擁有業內**人士和高技術人才。浙江大功率可控硅模塊配件
導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。浙江大功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。
可控硅模塊特點:
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。
3 對通態電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。
雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。
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只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。
這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。 創造價值是我們永遠的追求!浙江大功率可控硅模塊配件
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可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣,它已經應用到了很多電子設備中,不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的,下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。
1.選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型,應根據應用電路的具體要求合理選用。
若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等,可選用普通可控硅模塊。
若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中,應選用雙向可控硅模塊。
若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等,可選用門極關斷可控硅模塊。
若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等,可選用BTG可控硅模塊。
若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路,可選用逆導可控硅模塊。
若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路,可選用光控可控硅模塊。 浙江大功率可控硅模塊配件
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