晶閘管模塊產品特點:
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 國際標準封裝;
3、壓接結構,優良的溫度特性和動力循環能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強制風冷,300A以上模塊,可以選擇風冷或水冷。
6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應用:
直流電源、交流開關、焊接設備、電機控制、調光、變頻器、UPS電源、無觸點開關、電機軟起動、蓄電池充放電、靜態無功功率補償、工業加熱控制、各種整流電源。 正高電氣永遠是您身邊的行業**!德州小功率晶閘管模塊供應商
AA)替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG(AA)60A/400V三社(SanRex)PWB60A;三菱(MITSUBI)TM60SZ-M;TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG(AA)80A/400VSanRexPWB90A;MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG(AA)130A/400VSanRexPWB130A;MITSUBITM130SZ-M;英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG(AA)160A/400VMITSUBITM150SZ-M;英達PFT1503NMTG300A/800VMTG(AA)200A/400VSanRexPWB200AA;MITSUBITM200SZ-M英達PFT2003N;注:上表中MTG型為普通壓降模塊;MTG(AA)為低電壓低導通壓降型模塊。l焊機用模塊電流和電壓計算:我公司MTG、MTG(AA)焊機**模塊可以使用在很多不同型號規格的焊機中,如ZX5普通焊機;WSM直流氬弧焊機;NBKCO2氣體保護焊機。這些焊機目前都采用流行的雙反星并聯帶平衡電抗器主回路形式,如下圖:(雙反星并聯帶平衡電抗器主回路)2該線路相當于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯。每只晶閘管的比較大導通角為120o,負載電流Id同時由兩個晶閘管和兩個變壓器繞組供給,每只管子承擔1/6的Id,任何瞬時,正,負極性組均有一支電路導通工作。2該線路提高了變壓器利用率。武漢單相整流調壓模塊價格正高電氣有著質量的服務質量和極高的信用等級。
即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機中,如應用于點焊、電阻焊機中的晶閘管模塊MTX系列;應用于CO2氣體保護焊機、WSM普通焊機等MTG系列模塊。各焊機應用晶閘管模塊在下表中簡述:整機種類使用模塊常見主回路形式電路特點S可控硅直流氬弧焊機MFG單相全波整流CO2氣保焊機MDG雙反星并聯(帶平衡電抗器)CO2氣保焊機MTG雙反星并聯(帶平衡電抗器)逆變焊機變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點焊機MTXMTC電子開關三、CO2焊機**晶閘管MTG模塊:l模塊內部電路圖:l焊機**MTG模塊特點簡介:2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結構組件。模塊內管芯參數針對焊機特點專門設計,額定結溫高、通態壓降低、通流和過載能力強動態性能的一致性好、耐疲勞性強,免除螺栓式晶閘管裝機前參數挑選和配對的難題,提高工效。2焊機目前正朝模塊化方向發展,而且由于裝配,調試,維修簡單;整機裝置美觀大方等優點;能明顯地提升焊機品位,因此模塊應用會越來越。l適用焊機典型主回路形式:適用于雙反星并聯帶平衡電抗器電路l焊機額定輸出電流對模塊的選擇:見下表焊機型號適用主回路焊機額定輸出電流MTGMTG。
晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從而提高起點流放大系數a2。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。
晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
根據封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 正高電氣智造產品,制造品質是我們服務環境的決心。德州小功率晶閘管模塊供應商
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它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態,而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極。德州小功率晶閘管模塊供應商
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