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    2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡化電路設計。逆導晶閘管的符號、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）。追問：兄弟圖呢？回答：變頻器的基本工作原理是，首先將三相/單相交流電通過整流，使之變成直流電壓，為了保證直流電壓的穩定，在正負兩端連接電解電容；為了提高輸入測的功率因數及減少電容的紋波電流，很多變頻器都配置直流再經過逆變模塊的作用。正高電氣擁有業內**人士和高技術人才。濟南MTDC400晶閘管智能模塊廠家

    中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后，分為兩路，一路由IC1A進行電平轉換后送到IC6的30P，另一路經D7-D10整流后，又分為兩路，一路送到電壓/電流調節器，另一路送到過電壓保護。由主回路交流互感器取得的電流信號，先在外部轉換成電壓信號，從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入，經二極管D11-D16整流后，再分為兩路，一路作為過流保護信號，另一路作為電壓/電流調節器的反饋信號。本電路逆變觸發部分，采用的是掃頻式零壓軟起動，只需取一路中頻電壓反饋信號，無需槽路中頻電容器上的電流信號，其本質上相當于它激轉自激電路，屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路，不需要預充磁或預充電的起動過程，因此，主回路得以簡化，調試過程簡單。起動過程大致是這樣的，在逆變電路起動前，先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發逆變晶閘管，當電路檢測到主回路開始有直流電流時，便控制它激信號的頻率從高向低掃描，同時加大主回路的直流電流，當它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時，中頻電壓便建立起來，并反饋到自動調頻電路。自動調頻電路一旦投入工作，便停止它激信號的頻率往低掃描動作，轉由自動調頻電路控制逆變動引前角。青島MTDC150晶閘管智能模塊廠家正高電氣為客戶服務，要做到更好。

    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應有較小的阻值。對調兩表筆測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，不論正、反向均不應導通，否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開），表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關速度快等優點。

    三相負載吸收的功率等于各相功率之和。上節已經分析了，如果把電阻R的星接結構改成角接結構，更改后的角接結構等效變換為星接結構時，對應的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統運行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結構改為星接電阻結構。2如果電阻絲連接結構由星接變為角接，要想保證設備能正常工作，需要更換耐流比現有晶閘管大3倍的晶閘管器件。或者更換耐流比現有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯。更換晶閘管后設備可以提高3倍功率運行。3如果更換晶閘管后，設備還需要保持原有功率運行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統穩定運行，應進行輸出功率限幅，降低系統控制輸出力度。正高電氣的行業影響力逐年提升。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩定。青島MTDC150晶閘管智能模塊廠家

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    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從發射極注入硅晶體，導致發射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。濟南MTDC400晶閘管智能模塊廠家

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