晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時,允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT,是指在規定環境溫度和標準散熱條件下,晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時,允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣智造產品,制造品質是我們服務環境的決心。濟南工業電爐晶閘管智能模塊
3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的,所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,出現換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓,其值和換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;過電壓能量上升的速率,延緩已產生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進行保護等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側、直流側,或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路比較好選用無感電容,接線應盡量短。。5)由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的,有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。鞍山穩流模塊廠家正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,不但在產品規格配套方面占據優勢。
當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地,開閉速度越快過電壓越高,在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓。。2)直流側產生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時的電流值較大,都會產生比較大的過電壓。這種情況常出現于切除負載、正在導通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合。。
公司是專業從事電力電子產品研發、制作、銷售于一體的****公司主要產品:MTC(A、K、X)、MDC(A、K)、MFC(A、K、X)系列功率半導體模塊;MDS、MDQ、MFQ、MFF系列單相、三相整流橋模塊;BJD(H)系列單相、BJT(H)系列三相固繼電器;晶閘管智能模塊;ZP、ZK系列整流管;KP、KK、KS系列晶閘管;各種功率組件;電力電子器件用散熱器等。公司系列產品服務于電力、冶金、石油、煤炭、環保、航天、有色金屬、家用電器等領域。以產品種類齊全、品質可靠、供貨及時、服務誠信博得國內外客戶的一致好評。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創新、追求”的宗旨,堅持以**的技術、***的產品和服務為客戶創造價值。熱忱歡迎廣大客戶光臨惠顧,精誠合作!共同致力于中國電力電子技術產品的發展和進步。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。
晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
根據封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 正高電氣為消費者帶來更***的生活空間。鞍山穩流模塊廠家
正高電氣我們完善的售后服務,讓客戶買的放心,用的安心。濟南工業電爐晶閘管智能模塊
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經驗,是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),軟恢復快速整流管(FRD),旋轉整流管(ZX)。大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),快速晶閘管(KK),雙向晶閘管(KS),逆導晶閘管(KN),可關斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發電機旋轉勵磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源。濟南工業電爐晶閘管智能模塊
淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標,有組織有體系的公司,堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明,攜手共畫藍圖,在山東省淄博市等地區的電子元器件行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶口碑,為公司的發展奠定的良好的行業基礎,也希望未來公司能成為*****,努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息,斗志昂揚的的企業精神將**正高電氣供應和您一起攜手步入輝煌,共創佳績,一直以來,公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針,員工精誠努力,協同奮取,以品質、服務來贏得市場,我們一直在路上!