本發明涉及陶瓷領域，特別是涉及一種碳化硅陶瓷及其制備方法和半導體零件。背景技術：反應燒結碳化硅陶瓷是由細顆粒sic和添加劑壓制成素坯，在高溫下與液態硅接觸，坯體中的碳與滲入的si反應，生成新的sic，并與原有顆粒sic相結合，游離硅填充了氣孔，從而得到高致密性的陶瓷材料。反應燒結碳化硅在燒結過程中尺寸幾乎無變化，相比于常壓燒結、熱壓燒結碳化硅材料來說，加工成本大幅降低，廣泛應用于石油、化工、航空航天、核工業及半導體等領域。但是反應燒結碳化硅材料存在力學性能較差的問題，從而限制了反應燒結碳化硅材料的應用。技術實現要素：基于此，有必要提供一種力學性能好的反應燒結碳化硅陶瓷的制備方法。此外，還提供一種碳化硅陶瓷和半導體零件。一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括如下步驟：將碳化硅微粉、金屬元素的氯化物、環氧丙烷、***分散劑及***溶劑混合并在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒，其中，所述金屬元素為稀土元素或鍶元素；將所述預處理顆粒與第二分散劑、粘結劑、第二溶劑和***碳源混合造粒，得到造粒粉；將所述造粒粉成型，得到***預制坯；將所述***預制坯與第二碳源混合加熱，使所述第二碳源呈液態。及時出貨速度與穩定交期，滿足不同的客戶需求。PP半導體與電子工程塑料零件定制加工
并實現對工藝盤的角度進行調整，進一步推薦地，當采用上述配合面軸向錯開的設計時，驅動通孔211與驅動連接部310之間為過盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過盈配合。在本實用新型的實施例中，設置工藝盤轉軸1、驅動襯套2與驅動軸3之間均為過盈配合，從而使得工藝盤轉軸1和驅動襯套2能夠在安裝后保持與驅動軸3之間的同軸度。并且，*通過調整驅動軸3的朝向即可微調工藝盤轉軸1的角度，并**終實現對工藝盤的角度進行調整。為避免驅動通孔211與驅動連接部310之間的配合面尺寸的偏差導致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅動通孔211的內壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅動通孔211內壁上圓柱面與平面的相貫線位置匹配。在本實用新型的實施例中，驅動通孔211內壁上形成有避讓槽211a，驅動通孔211與驅動連接部310連接時，驅動連接部310側面的棱插入避讓槽211a中，從而能夠將驅動通孔211與驅動連接部310之間的平面配合面與圓柱面配合面分離。在驅動通孔211與驅動連接部310為過盈配合時，平面配合面與圓柱面配合面可以分別向外發生微小形變，而驅動連接部310側面上的棱始終位于避讓槽211a中，從而不會因兩種配合面形變程度的不同而與驅動通孔211的內壁之間發生刮擦。PP半導體與電子工程塑料零件定制加工如火箭的結構元件、核工程材料、電熱元件、電工材料（如高溫熱電偶、引燃電極）。
內凸臺的中心形成有沿厚度方向貫穿內凸臺的凸臺孔，調平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調平件8的調平孔，驅動軸3上形成有調平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調平孔、凸臺孔和調平螺紋孔，以將調平件8和驅動軸3固定在內凸臺上，調平件8能夠調整中心螺釘與傳動筒4之間的角度。本實用新型對調平件8與驅動軸3如何夾持內凸臺結構41不做具體限定，例如，如圖3所示，調平件8中形成有多個沿軸向延伸的調平通道，調平通道中設置有調平球，調平件8還包括多個調平螺釘，調平螺釘與調平球一一對應，調平螺釘能夠推動調平球沿調平通道移動；調平件8中還形成有多個徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調平通道一一對應，且楔形通道沿徑向貫穿調平件8的調平通道外側的外壁，楔形通道中設置有楔形塊，楔形塊能夠在調平球移動至楔形通道位置時被調平球頂入楔形通道，與傳動筒4的內壁接觸。在發現工藝盤轉軸1或工藝盤01的角度出現偏差時，將工藝盤01偏高一側對應的調平螺釘擰入對應的調平通道，該調平螺釘頂部推動對應的調平球靠近楔形通道，調平球將對應的楔形塊推出楔形通道，從而增加調平件8與傳動筒4在該側內壁之間的距離，進而使工藝盤轉軸1的軸線向該側轉動，實現將工藝盤01偏高的一側調低。
所述在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理的步驟中，加熱處理的時間為1h～4h。在其中一個實施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預制坯的步驟包括：將所述造粒粉先進行模壓成型，成型壓力為70mpa～170mpa，保壓時間為10s～90s，然后進行等靜壓成型，成型壓力為200mpa～400mpa，保壓時間為60s～180s，得到所述***預制坯。在其中一個實施例中，所述將所述造粒粉成型，得到***預制坯的步驟之后，所述將所述***預制坯與第二碳源混合加熱的步驟之前，還包括：將所述***預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠；及/或，所述將所述***預制坯與第二碳源混合加熱，使所述第二碳源呈液態，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯的步驟之后，所述將所述第二預制坯和硅粉混合的步驟之前，還包括：將所述第二預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。在其中一個實施例中，所述***碳源和所述第二碳源相互獨立地選自石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹脂及環氧樹脂中的至少一種；及/或。通過范圍更多的產品，來實現解決方案，來成本節約，并可保證使用安全性。
從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面傳動時受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部210和第二襯套部220，***襯套部210和第二襯套部220沿工藝盤轉軸1的軸線方向排列，第二襯套部220位于***襯套部210朝向驅動軸體部320的一側，驅動襯套2的套孔包括形成在***襯套部210中的驅動通孔211和形成在第二襯套部220中的軸通孔221，驅動通孔211與驅動連接部310匹配；***襯套部210的外徑小于第二襯套部220的外徑，定位凸起222形成在第二襯套部220的外壁上，且第二襯套部220與工藝盤轉軸1的安裝孔相配合。在本實用新型的實施例中。由于該材料的線性熱膨脹系數（CLTE）較低、公差配置可更緊。江西PP半導體與電子工程塑料零件定制加工24小時服務
不僅為客戶節省了特定應用測試的時間成本；PP半導體與電子工程塑料零件定制加工
本實用新型涉及治具領域，尤其涉及一種針對半導體零件的抓數治具。背景技術：半導體零件即半導體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應力加載到晶體的解理方向上，會造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應對半導體晶體進行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時，不容易產生破壞性的崩口。然而，在實際加工時，大部分的晶體多多少少的會發生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會發生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續使用，因此，我們需要制作一個治具，用于檢測晶體的崩口尺寸，將破壞嚴重的晶體剔除。技術實現要素：本實用新型的目的在于克服現有技術存在的以上問題，提供一種針對半導體零件的抓數治具，本實用新型設計新穎，結構簡單、合理，能夠通過設置的**基準面和第二基準面定位半導體零件的位置，并通過設置的圓弧基準臺的切邊抓取半導體零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半導體零件。為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本實用新型通過以下技術方案實現：一種針對半導體零件的抓數治具，包括抓數治具，所述抓數治具包括設置的**基準塊以及與**基準塊垂直連接的第二基準塊。PP半導體與電子工程塑料零件定制加工