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XBM2138QFA    兩串鋰電池保護芯片介紹  35W以內      XBM2138QFA    2串鋰保集成MOS     內置均衡   ：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節：保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調節 ，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能7-10串鋰電池保護NTC/SSOP20 多節鋰電池保護——二級保護XBM7102。無錫6096J9j賽芯原廠

4串鋰電池保護芯片介紹,XBM5574   級聯功能/集成均衡/NTC/Sense  保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節：4串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能深圳XBM3215MDA賽芯廠家DS3730B AC模式：30-65W 移動電源模式：20-35W.

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數據手冊—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過壓/欠壓保護、過流保護、過溫保護、短路保護功能。?過壓/欠壓保護：放電過程中，DS2730實時監測輸入/輸出電壓，并和預設的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時間達到一定長度時，芯片關閉放電通路。?過流保護：放電過程中，利用內部的高精度ADCADC，實時監測流經采樣電阻的電流。當電流大于預設的過流閾值時，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續過流，則觸發過流保護，芯片自動關閉放電通路。?過溫保護：放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實時監測芯片自身的溫度或應用方案中關鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當溫度超出預設的保護門限時，降低放電功率。?短路保護：放電過程中，實時檢測VBUS的電壓和放電電流。發生VBUSBUS輸出短路時，自動關閉放電通路。

鋰電保護應用原理圖①按鋰電池保護芯片的典型原理圖設計，鋰電保護的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴格按照規格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動和外部強烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個都會有少燒芯片的可能，增加生產的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據***版的Datesheet的典型應用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達應用、LED照明應用、射頻干擾應用、負載電流劇烈變化的應用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網絡的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個，可以增強鋰電保護電路的系統級ESD，增強對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護芯片可并聯使用，減小內阻，增強持續電流，多芯片并聯使用時，芯片VDD的RC網絡，電阻可共用，但電容須要一個保護芯片配一個電容。線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。

    3或4串電池組的二級保護芯片主要描述XBM4X30系列產品內置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護芯片，通過檢測電池包中每一節電芯的電壓，為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進100mV），精度±100mV1。保護延時內置可選：可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態輸出H、動態輸出。 XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。中山6096J9賽芯方案公司

單節至四節鎳氫電池進行充電管理。該器件內部包括功率晶體管，不需要外部的電流檢測電阻和阻流二極管。無錫6096J9j賽芯原廠

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 無錫6096J9j賽芯原廠