晶閘管模塊產品特點： 1、芯片與基板電絕緣，電壓2500V； 2、 國際標準封裝； 3、壓接結構，優良的溫度特性和動力循環能力； 4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC； 5、200A以下為強制風冷，300A以上模塊，可以選擇風冷或水冷。 6、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。 典型應用： 直流電源、交流開關、焊接設備、電機控制、調光、變頻器、UPS電源、無觸點開關、電機軟起動、蓄電池充放電、靜態無功功率補償、工業加熱控制、各種整流電源。 正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。山西反并聯晶閘管模塊組件 晶...

如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管，必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時的溫度不超過結溫。②晶閘管在使用中發生超越和短路現象時，會引發過電流將管子燒毀。對于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險絲加以保護?？焖俦ｋU絲的熔斷時間極短，一般保險絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時，有可能在晶閘管的導通或阻斷對出現過壓現象，將管子擊穿。對于過電壓，可采用并聯RC吸收電路的方法。因為電容兩端的電壓不能突變，所以只要在晶閘管的陰極及陽極間并取RC電路，就可以削弱電源瞬間出現的過電壓，起到保護晶閘管的作用。當然也可以采用壓敏電...

晶閘管模塊也被稱為晶體閘流管，也被稱為可控硅模塊：它是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用壽命長、體積小等優點。它是弱電控制與受控強電之間的橋梁。從節能的角度看，電力電子技術被稱為新的電氣技術。我國能源利用率相對較低。按國民生產單位產值能耗計算。因此，所以晶閘管為**的電控裝置是我國有效節能的重要措施。 晶閘管模塊是過去市場上常用的一種集成模塊。根據不同的電流規格，它可以形成各種形式和電流規格的電路。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據芯片電流規格，它可以形成三個不同功率的（單）交（整）流電路。 正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種，為用戶提供了更多的選擇空間...

并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11進行包覆固定。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實現對位于其上的導電片9、第二導電片10、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設置于所述銅底板3上。為了實現所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

電力電子開關技術領域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件，如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中，現有的晶閘管*能夠實現單路控制，不利于晶閘管所在電力系統的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。技術實現要素：本發明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現有技術中存在的不足。為實現上述發明目的，本發明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單...

電焊機在進行各種金屬焊接時，根據焊接工藝的不同，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特*流或直流電源。例如，在點、凸、峰焊、電阻焊時需要調節焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{壓或改變通過的周波數量），屬于晶閘管應用于交流調壓；在各種氬弧焊、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時，反并聯的晶閘管串接在主回路中，直流調壓應用時，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來，CO2氣體保護焊機發展比較迅速，據報道，發達國家這種焊機占到百分之六十或七十的比例，...

它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓，從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合，當LSR由通態關斷時，由于電流、電壓的相位不一致，將產生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態，只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

簡稱過零型）和隨機導通型（簡稱隨機型）；按輸出開關元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯型（增強型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍，驅動電流為5-15mA；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc，**于隨機型LSR；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區別由于觸發信號方式不同，過零型和隨機型之間的區別主要在于負載交流電流導...

AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓，從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合，當LSR由通態關斷時，由于電流、電壓的相位不一致，將產生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態，只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產品特點：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標準封裝；3、真空+充氫保護焊接技術；4、壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強迫風冷，300A以上模塊，既可選用風冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術參數：型號通態平均電流反向斷態重復峰值電壓通態峰值電壓通態峰值電流正反向重復峰值電流觸發電流觸發電壓維持電流斷態電壓臨界上升率通態電流臨界上升率比較高額定結溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmIt...

如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對于大功率晶閘管，必須按手冊申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件，以保證管子工作時的溫度不超過結溫。②晶閘管在使用中發生超越和短路現象時，會引發過電流將管子燒毀。對于過電流，一般可在交流電源中加裝快速保險絲加以保護?？焖俦ｋU絲的熔斷時間極短，一般保險絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時，有可能在晶閘管的導通或阻斷對出現過壓現象，將管子擊穿。對于過電壓，可采用并聯RC吸收電路的方法。因為電容兩端的電壓不能突變，所以只要在晶閘管的陰極及陽極間并取RC電路，就可以削弱電源瞬間出現的過電壓，起到保護晶閘管的作用。當然也可以采用壓敏電...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當晶閘管模塊承受正向陽極電壓時，只有在門級承受正向電壓時，晶閘管才打開。此時，晶閘管處于正導通狀態，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。 2.晶閘管模塊開著時，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少，晶閘管都繼續工作，即晶閘管接通后，門級就失去了功能。門級只會起到觸發的作用。 3.當主電路電壓（或電流）降至接近零時，當主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關閉。 4.當晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態。在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內。...

1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中，對于一些專業的電力技術人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷。現在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結構的改進和工藝的，為新器件的不斷出現提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發成功，應用于調光和馬達控制；1965年，小功率光觸發晶閘管出現，為其后出現的光耦合器打下了基礎；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當時逆變電路的基本元件；1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調...

1晶閘管模塊被廣泛應用于工業行業中，對于一些專業的電力技術人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類。不過現在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結構的改進和工藝的，為新器件的不斷出現提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發成功，應用于調光和馬達控制；1965年，小功率光觸發晶閘管出現，為其后出現的光耦合器打下了基礎；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當時逆變電路的基本元件；1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調速、調...

充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化；6K、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化，使用壽命超過了進口元件。在自動控制方面，我公司成功開發出各種工控板，應用在各種不同的場合，真正形成了控制方式靈活，保護齊全，可靠性高的優勢。與模塊結合開發了智能模塊。廣泛應用于不同行業各種領。在散熱器方面公司成功開發了，通過努力已進入了國內的輸變電行業、機車行業所需的**市場。我公司秉承快速反應、持續改進的工作作風，融入世界的發展戰略，致力于提高品牌**度的發展目標，建成國際前列、國內...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘...

500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動，以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發繼電器導通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護：除LSR內部本身有RC吸收回路保護外，還可以采取并聯金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積...

晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉...

1、過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。 從晶閘管模塊的內部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時，為了制造晶閘管模塊導體銅，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的...

AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環境中，以及要求工作高可靠的場合中，LSR都比傳統的繼電器有無可比擬的優越**流固態繼電器工作原理：LSR實際是一個受控的電力電子開關，其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內部結構框圖一般情況下，萬用表不能判別LSR的好壞，正確的方法采用圖3的測試電路：當輸入電流為零時，電壓表測出的電壓為電網電壓，電燈不亮（燈泡功率須25W以上）；當輸入電流達到一定值以后，電燈亮，電壓表測出的電壓為LSR導通壓降（在2V以下）。因LSR內部有RC回路而帶來漏電流，因此不能等同于普通觸點式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關用。圖3LSR測試電路㈡...

并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發明的立式晶閘管模塊的改進，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈...

5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發導通的器件，它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被應用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關斷時間(10～15s)而主要用于中頻感應加熱。在逆變電路中，它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯一個二極管制作在同一管芯...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發的全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導熱性能好。熱循環負載次數高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。6(6)晶閘管模塊采用觸發控制電路、主電路與導熱底板相互隔離，導...

硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界...