是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數有：額定通態平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性，即不但具有一般...

由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...

當周圍光線較弱時，RG呈現高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當周圍光線增強時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調試調試時，將RP調到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達到要求。光敏電阻RG應安裝在臺燈底座側面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環境照度。調光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調光臺燈，調RP可選擇適當的高密度；S撥向1為自動臺燈，先調RP選擇...

晶閘管模塊使用注意事項 科學合理的選型和適當的維護可有效延長產品的使用壽命，用戶可參考以下標準進行產品的維護和保養： （1）初次使用該產品的用戶一定要熟讀說明書，了解產品的基本情況和使用方法； （2）在產品選型時根據使用條件按標準要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。 （3）工作場所環境溫度范圍：-25℃～+45℃； （4）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體； （5）模塊不能當作隔離開關使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關； （6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導致次生熱量產生，且會降低通過的電流量。初次使用...

水冷裝置在作此項調試時，必須通水冷卻。當調試場地的電源供不出裝置的額定電流時，額定電流的整定，可放在現場滿負荷運行時進行。但是，應先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調節），調節W5微調電位器，使頻率表的讀數與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級線...

普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導體材料構成的三端半導體器件，三個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向導電的性能，其內部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當晶閘管反向連接（即A極接電源負端，K極接電源正端）時，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態。當晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負端）時，若門極G所加觸發電壓為負時，則晶閘管也不導通，只有其門極G加上適當的正向觸發電壓時，晶閘管才能由阻斷狀態變為導通狀態。此時，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態。...

模塊內部晶閘管主要參數 （1）正反向峰值耐壓：≥1400V； （2）di／dt：100A／μs； （3）dv／dt：500V／μs 晶閘管智能模塊的應用方法 模塊的控制功能端口 模塊可應用于各行各業需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業調溫；金屬加工行業的電鍍、電解；電源行業電池充放電、電源穩壓；電磁行業的勵磁以及各行業使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。 模塊如何使用？ 模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節，從而實現弱電對強電的控制。 電壓或電流信號可取自各...

當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯（基極開路）代替雙向觸發二極管，調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發二極管，調壓效果要差一些，在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發電路。這種觸發電路調壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經過穩壓管VD削波成為梯...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。...

檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發射極輸出鋸齒波，...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流...

但是在設定電流限值時必須要根據電動機的初始轉矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環境下。在轉矩控制的基礎下，在起動的瞬間采用一個突跳轉矩用來克服負載的靜轉矩，然后轉矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態。這種起動方式的優點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網產生一定的沖擊，影響同一電網下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停...

晶閘管智能模塊電流規格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算： I>K×I負載×U較大∕U實際 K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2； I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關系到產品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產品，有水冷散熱條件的優先選擇水冷散熱。我們經過嚴格測算，確定了不同型號的產品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選取： 1、軸流風機的風速應大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現對流并適當增大散熱器面積； ...

以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流...

晶閘管智能模塊過流保護： 加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。聊城MTAC150晶閘管智能模塊組件 使C5上的電壓達到雙向觸發二極管的轉折電...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

使得VD1~VD4所組成的橋路不通，作為負載的燈泡中無電流流過，燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時節電開關電路圖，它是由三個接線端子［1］、［2］、［3］，三端低壓直流電源［4］，延時電路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構成），脈沖電路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構成），無觸點開關電路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經久耐用、節電顯著、用電設備壽命長的特點。光敏電阻光控燈電路圖（三）：基于光敏電阻的亮度自動調節臺燈電路圖本方案介紹的自動調光臺燈能根據周圍環境亮度強弱自動調整臺燈發光量。當環境亮...

2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續流二極管各一只，不僅使用...

IC1D及其周圍電路構成壓控時鐘，其輸出信號的周期隨調節器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時鐘信號輸入到IC6的11P，作為數字觸發的時鐘CL0K0。數字觸發的特征是用計數（時鐘脈沖）的辦法來實現移相，6路整流移相觸發脈沖均由IC6產生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發脈沖經IC5晶體管陳列放大后，驅動整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設有2個調節器：中頻電壓/電流調節器、逆變角調節器。其中電壓/電流調節器（IC3C），是常規的PI調節器，在啟動和運行的整個階段，該環始終參與工作；逆變角調節器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下...

逆變橋進入工作狀態，開始起振，若不起振，表現為它激信號反復作掃頻動作，可調節中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調節主控板上W4微調電位器，使逆變換相引前角在...

晶閘管智能模塊工作原理 晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環系統，來保持爐內溫度恒定。 晶閘管智能模塊過壓保護： 晶閘管智能模塊工作時由導通到截止時或因雷擊及其他原因都會產生能量較大，持續時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣以精良的產品品質和優先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。MTAC480晶閘管智能模塊批發 ...

過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元...

限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于...

晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于...

限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于...

雙向晶閘管看起來與單向晶閘管的外形差不多，也有三個電極，它的主要工作特性是什么呢？雙向晶閘管相當于兩個單向晶閘管的反向并聯，但只有一個控制極。這樣，雙向晶閘管在正、反兩個方向上都能夠控制導電，而單向晶閘管卻是一種可控的單方向導電器件。給雙向晶閘管的控制極加正的或負的觸發脈沖，都能使管子觸發導通。這樣，觸發電路的設計就具有很大的靈活性，可以采用多種不同的觸發方式。此外，雙向晶閘管的兩個主電極不再分為陽極和陰極，而是稱為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件，主要用來進行交流調壓、交流開關、可逆直流調速等等。雙向晶閘管觸發電路中，使用了雙向觸發二極管，我們過去沒有聽...