單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。 單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在...

您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？ 可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。 接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法： 1.將正極電壓降低至數值，或添加反向陽極電壓。 2.增加負載電路中的電阻。 以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。江蘇高壓可控硅模塊品牌可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看...

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。 這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 淄博...

可控硅模塊的操控端口與操控線 可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法，別離對應于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口，其他為空腳，選用電流信號的9腳為信號輸入，操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業或能夠燒壞模塊。 可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號，請一一對應，不要接反。以上六個端口為模塊根柢端口，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運用，一般調壓商品其他腳為空腳。 創造價值是我們永遠的追求！海南高壓可控硅模塊哪家好 可控硅模塊的應用領域 該智能模塊應用于控溫、調光、勵...

實際上，可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結溫，而相當高殼溫Tc是限定的，由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。 需要指出的是，溫控開關測量到的溫度是模...

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！濰坊小功率可控硅模塊廠家 滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電...

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上，合作共贏”。山東雙向可...

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件，它是從普通可控硅模塊的基礎上發展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。 雙向可控硅模塊是由一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應...

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵，環境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。 2、用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。 3、 將接...

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。 可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、...

可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣，它已經應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。 1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。 若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。 若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。 若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控...

導通角與模塊輸出電流的關系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。臨沂反并聯可控硅模塊可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向...

可控硅模塊的接線方法 可控硅模塊在電力工業中占有重要地位。很多人知道可控硅模塊的優點和使用方法，但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談談可控硅模塊的連接方法。 單個晶閘管反向并聯。記得增加RC保護電路。控制交流電，單向晶閘管一定要反向并聯，因此2和3應短接使用。 可控硅的介紹： 這是一種由三個晶閘管引起的共正晶閘管模塊，主要用于三相半波整流電路。 或者三相全控橋可以由一個普通的負三相半波整流器構成。 調速器：紅色，藍色，黑色，3根電線，紅色電池正極，黑色電池負極，藍色連接電機負極，電機正極帶一根線到電池正極。 淄博正高電氣有限公司和客戶攜手誠信合作，共創輝...

可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變; 無觸點功率靜態開關(固態開關)：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。 因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業控制領域等都大量使用了可控硅...

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。 可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。 過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動...

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。 這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 淄博...

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。 可控硅模塊的主要參數有： (1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。 (2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。 (3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電...

雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。 2.可控硅過載的保護 可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件： （1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用； （2）可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。 這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 淄博...

可控硅模塊的作用和優勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。 在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發導通。只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。日照快恢復可控硅模塊 正高可控硅分單向可控硅、雙...

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即...

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好。可控硅模塊的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵，環境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。 2、用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。 3、 將接...

選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。 所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。 可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。 上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進，共創未來！山東大功率可控硅模塊 可控硅模塊的操控端口與操控線 可控硅模塊操控端接口有...

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。 這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 淄博...

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。現在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：首層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！北京雙向可控硅模塊品牌 可控硅模塊...

選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。 所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。 可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。 上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。棗莊快恢復可控硅模塊供應商 可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱...

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。淄博正高電氣有限公司在行業的影響力逐年提升。湖南雙向可控硅模塊配件 可控硅模塊的設備與維護 （1）在模塊導熱底板表面與散...

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。 單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在...

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法： 1 可控硅模塊環境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。 2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。 3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，...

選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。 所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。 可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。 上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司擁有先進的產品生產設備，雄厚的技術力量。重慶雙向可控硅模塊廠家 可控硅模塊的應用領域 可控硅模塊應用于溫度...