除了作為放大、振蕩、開關用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用于產生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術的迅速發展，微波半導件低噪聲器件發展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數不斷下降。微波半導體 器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中...

第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻。寶山區現代半導體器件設備修理第三...

第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極...

除了作為放大、振蕩、開關用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用于產生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術的迅速發展，微波半導件低噪聲器件發展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數不斷下降。微波半導體 器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中...

③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。其中MOS場效應管使用泛。尤其在大規模集成電路的發展中。金山區出口半導體器件設備設計半導體器件（...

第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；閔行區綜合...

這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流，只有極少量的少數載流子在基區內復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大系數。在共發射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；除四個基本部分外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。嘉定...

X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：美國半導體分立器件型號命名方法。崇明區銷售半導體器件設備有什么C-PNP型硅材料...

C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。控制橫向電場的電極稱為柵。嘉定區進口半導體器件設備設計②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體...

①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N...

第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。國際電子聯合會半導體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用...

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。靜安區綜合半導體器件設備原料中國半導體器件型號命名方法...

②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵。普陀區質...

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管穩壓二極管型號的后綴。其后綴的一部分是一個字母。靜安區國產半導體器件設備圖片半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之...

表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管...

場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）...

接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管除四個基本部分外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。楊浦區生態半導體器件設備圖片①結型場效應管(用PN結構成柵...

接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利。金山區發展半導體器件設備圖片又有一般晶體管的放大作用得到較大...

第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。穩壓二極管型號的后綴。其后綴的一部分是一個字母。青浦區銷售半導體器件設備維修偶極層內部會發...

偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結特殊效應的隧道二極管，以及沒有PN結的肖脫基二極管和耿氏二極管等。它是由兩個PN結構成，其中一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結...

國際電子聯合會半導體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅。金山區國產半...

美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別其中MOS場效應管使用泛。尤...

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數字表示序號不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是產品。金山區生態半導體器件設備修理半導體器件是導電性...

晶體二極管的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，由于P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。當PN結的P端（P型半導體那邊）接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。黃浦區家居半導體器件設備修理第四部分：用數字表示序號第五部分：用...

場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺。普陀區生態半導體器件設備設計...

接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利。普陀區貿易半導體器件設備修復第二部分：用數字表示pn結數目。...

根據柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。根據柵的結構,場效應晶體管可...

此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結特殊效應的隧道二極管，以及沒有PN結的肖脫基二極管和耿氏二極管等。日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。崇明區家居半導體器件設...

第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管...

例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。①結型場效應管(用PN結構成柵極)；寶山區品牌半導體器件設備修理表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、...