智能功率模塊內部功能機制編輯IPM內置的驅動和保護電路使系統硬件電路簡單、可靠,縮短了系統開發時間,也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比,IPM在系統性能及可靠性方面都有進一步的提高。保護電路可以實現控制電壓欠壓保護、過熱保護、過流保護和短路保護。如果IPM模塊中有一種保護電路動作,IGBT柵極驅動單元就會關斷門極電流并輸出一個故障信號(FO)。各種保護功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(UV):IPM使用單一的+15V供電,若供電電壓低于12.5V,且時間超過toff=10ms,發生欠壓保護,***門極驅動電路,輸出故障信號。(2)過溫保護(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣...
圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩態值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩態值的90%所需要的時間(對于阻性負載相當于...
圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩態值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發延遲時間t。陽極電流從10%上升到穩態值的90%所需要的時間(對于阻性負載相當于...
限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2,限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2,二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接,二極管vd2輸出端接地,高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接,二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接,放大濾波電路3與電阻r1相連接。放大濾波電路將采集到的流過電阻r7的電流放大后輸入保護電路,該電流經電阻r1形成電壓,高壓二極管d2防止功率側的高壓對前端比較器造成干擾,二極管vd1和二極管vd2組成限幅電路,可防止二極管vd1和二極管vd2中間的電壓,即a點電壓u超過比較器的輸入允許范圍,閾值電壓uref采用兩個精值電阻分壓產生,若a點電壓...
下面描述中的附圖**是本發明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明,但應當說明的是,這些實施方式并非對本發明的限制,本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代,均屬于本發明的保護范圍之內。如圖1所示,本發明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的***晶閘管單元和第二晶閘管...
我們該如何更好地區保護晶閘管呢?在使用過程中,晶閘管對過電壓是很敏感的。過電流同樣對晶閘管有極大的損壞作用。西安瑞新公司給大家介紹晶閘管的保護方法,具體如下:1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感,當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊...
1使用扳手在電池端斷開蓄電池的負極電纜,一般來說,負極電纜是黑色的,并且連接的一端有“-”標記,這也就保證了電力供應將會被隔離。2定位調節器。往往是在頂部,或者是接近交流發電機的地方,并且形狀也是圓筒形。3從晶閘管模塊那里斷開連接的導線,一般的布線都是密封的預接線,并且通過織機將一端直接連接到交流發電機,另一端連接到電池上的正極端子上,用扳手松開固定導線,用其他螺帽和導線代替。4找到固定晶閘管模塊放置的地方,用扳手將其擰松,并卸下,通常來說會有兩個螺栓,分別在調節器的兩側,從發動機艙拿出穩壓器和電線。5在剛剛卸下的同一個地方定為晶閘管模塊,更換螺栓并將其擰緊,如果有不同規格的話,則...
流過IGBT的電流值超過短路動作電流,則立刻發生短路保護,***門極驅動電路,輸出故障信號。跟過流保護一樣,為避免發生過大的di/dt,大多數IPM采用兩級關斷模式。為縮短過流保護的電流檢測和故障動作間的響應時間,IPM內部使用實時電流控制電路(RTC),使響應時間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護效果。當IPM發生UV、OC、OT、SC中任一故障時,其故障輸出信號持續時間tFO為1.8ms(SC持續時間會長一些),此時間內IPM會***門極驅動,關斷IPM;故障輸出信號持續時間結束后,IPM內部自動復位,門極驅動通道開放。可以看出,器件自身產生的故障信號是非保持性的,如...
IGBT模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢?答:當PWM波輸出的時候,它是維持電機內的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候,用的一個電阻做負載。電阻做負載,它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅動電機的,接在電機的定子上面,定子是一組線圈繞成的,就是“電感”。電感有一個特點:它的內部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時,加在電機上的電壓就是“斷斷續續”的,這樣電機內的電流就會“斷斷續續”的,這就給電機帶來嚴重的后果:由于電感斷流時,會產生反電動勢,這個電動勢加在IGBT上面,對IGBT會有損害。解決的辦法:在IGB...
因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數,標稱電壓值不*會隨著放電次數增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,壓敏電阻出現穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。漏電流:指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,抑制過電壓能力強;平時漏電流小,放電后不會有續流,元件的標稱電壓等級多,便于用戶選擇;伏安特性是對稱的,可用于交、直流或正負浪涌;因此用途較廣。2、過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結溫必須受到嚴格的控制,否則將遭至徹底損壞。當晶...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是一種復合全控型功率半導體器件,結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降優勢,廣泛應用于高壓、大電流的電力電子系統中。其**結構由多個IGBT芯片、續流二極管(FWD)、驅動電路及散熱基板組成,通過多層封裝技術集成于同一模塊內。IGBT芯片采用垂直導電設計,包含柵極(G)、發射極(E)和集電極(C)三個端子,通過柵極電壓控制導通與關斷。模塊內部通常采用陶瓷基板(如Al?O?或AlN)實現電氣隔離,并以硅凝膠或環氧樹脂填充以增強絕緣和抗震性能。散熱部分多采用銅基板或直接液冷設計,確保高溫工況下的穩定運行。IGBT模塊的**功能是實現電能...
IGBT模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢?答:當PWM波輸出的時候,它是維持電機內的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候,用的一個電阻做負載。電阻做負載,它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅動電機的,接在電機的定子上面,定子是一組線圈繞成的,就是“電感”。電感有一個特點:它的內部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時,加在電機上的電壓就是“斷斷續續”的,這樣電機內的電流就會“斷斷續續”的,這就給電機帶來嚴重的后果:由于電感斷流時,會產生反電動勢,這個電動勢加在IGBT上面,對IGBT會有損害。解決的辦法:在IGB...
智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,是一種先進的功率開關器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路,使用起來方便,不*減小了系統的體積以及開發時間,也**增強了系統的可靠性,適應了當今功率器件的發展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領域得到了越來越***的應用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進的功率開關器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結...
這個反電動勢可以對電容進行充電。這樣,正極的電壓也不會上升。如下圖:坦白說,上面的這個解釋節我寫得不是很有信心,我希望有高人出來指點一下。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節中,通過實際的電流照片,驗證這個二極管的作用。現在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說,在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個元件,它不帶續流二極管。即是這個符號:商用IGBT模塊,都是將“IGBT+續流二極管”集成在一個整體部件中,即下面的這個符號。在工廠中,我們稱這個整體部件叫IGBT,不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”...
1、晶閘管智能模塊的應用領域該智能模塊廣泛應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業、通訊、**等各類電氣控制、電源等,根據還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現穩流、穩壓、軟啟動等功能,并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。2、晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個可調的電壓或者電流信號,通過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調節,實現模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制...
圖簡單地給出了晶閘管開通和關斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發電流觸發的情況;而關斷過程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變為反向的情況(如圖中點劃線波形)。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關注的是晶閘管的開通時間t。由于晶閘管內部的正反饋過程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發后,其陽極電流只能逐漸上升。從門極觸發電流上升到額定值的10%開始,到陽極電流上升到穩態值的10%(對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%),這段時間稱為觸發延遲時間t。陽極電流從10%...
4.晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設...
二極管算是半導體家族中的元老了,早在***次世界大戰末期就已出現晶體檢波器,從1930年開始,半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為:快恢復二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個安培以內,電壓比較高1000多V,但是反向恢復素很快,只有幾個ns至幾十個ns,用在小功率開關電源做輸出整流,或需要頻繁開關的場合,其封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管,功率較大,幾十、幾百安培,主要用于整流,在大功率設備上使用,如電焊...
這要由具體的應用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅動波形上升沿較大,但IGBT導通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時IGBT的驅動波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進行電流放大,可有效地減小IGBT驅動波形的上升沿,縮短IGBT的導通過程,減小IGBT離散性造成的導通不一致性,減小動態均壓電路的壓力,但IGBT導通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時IGB...
下面描述中的附圖**是本發明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明,但應當說明的是,這些實施方式并非對本發明的限制,本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代,均屬于本發明的保護范圍之內。如圖1所示,本發明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內部的***晶閘管單元和第二晶閘管...
從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結,從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結,并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼...
用戶自備時按以下原則選取:1、軸流風機的風速應大于6m/s;2、必須能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于80℃;3、模塊負載較輕時,可減小散熱器的大小或采用自然冷卻;4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現對流并適當增大散熱器面積;5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,壓線端子連接牢固,以減少次生熱量的產生,模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊,以達到**佳散熱效果。8、模塊的安裝與維護(1)在模塊導熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導熱硅脂,然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個螺釘要依次固定,用力要均勻,反復幾次,直至牢...
不*使設備的體積重量增大,而且會降低效率,產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同,但二者的關斷...
晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上***晶閘管產品,并于1958年使其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被***應用于可控整流、交流調壓、無...
因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數,標稱電壓值不*會隨著放電次數增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,壓敏電阻出現穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。漏電流:指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,抑制過電壓能力強;平時漏電流小,放電后不會有續流,元件的標稱電壓等級多,便于用戶選擇;伏安特性是對稱的,可用于交、直流或正負浪涌;因此用途較廣。2、過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結溫必須受到嚴格的控制,否則將遭至徹底損壞。當晶...
IGBT模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢?答:當PWM波輸出的時候,它是維持電機內的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候,用的一個電阻做負載。電阻做負載,它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅動電機的,接在電機的定子上面,定子是一組線圈繞成的,就是“電感”。電感有一個特點:它的內部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時,加在電機上的電壓就是“斷斷續續”的,這樣電機內的電流就會“斷斷續續”的,這就給電機帶來嚴重的后果:由于電感斷流時,會產生反電動勢,這個電動勢加在IGBT上面,對IGBT會有損害。解決的辦法:在IGB...
智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,是一種先進的功率開關器件,具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路,使用起來方便,不*減小了系統的體積以及開發時間,也**增強了系統的可靠性,適應了當今功率器件的發展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC),在電力電子領域得到了越來越***的應用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進的功率開關器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結...
閉環控制在一定的負載和電網范圍內能保持輸出電流或者電壓穩定。控制信號與輸出電流、電壓是線性關系;7、模塊內有無保護功能智能模塊內部一般不帶保護,穩流穩壓模塊帶有過流、缺相等保護功能。8、模塊內晶閘管觸發脈沖形式晶閘管觸發采用的是寬脈沖觸發,觸發脈沖寬度大于5ms(毫秒)。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識,希望對您有所幫助。上一個:直流控制交流可以用可控硅模塊來實現嗎?下一個:用可控硅模塊三相異步電動機速度的方法返回列表相關新聞2019-07-20晶閘管模塊串聯時對于數量有什么要求以及注意事項2019-03-16使用可控硅模塊的**準則2018-09-15正高講晶閘管模塊值得注意的事...
4.晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設...
使用晶閘管模塊的的八大常識來源:日期:2019年06月12日點擊數:載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣,在使用的過程中需要注意很多細節,還有一些使用常識,下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識。1、模塊在手動控制時,對所用電位器有何要求?電位器的功率大于,阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么?當模塊導通角大于100度時,可以按如下原則選取電流:阻性負載:模塊標稱電流應大于負載額定電流的2倍。感性負或:模塊標稱電流應大于負載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個+12V直流穩壓電源(模塊內部的工作電源);一個0~10V控制信號(0~5V、0~10mA、4~20...