禁止用隔離開關(guān)接通或切斷回路負荷電流。（2）線路停送電操作：1）線路送電時，應(yīng)從電源側(cè)進行，在檢查斷路器確在斷開位置后，按先合上母線側(cè)隔離開關(guān)，再合上線路側(cè)（負荷側(cè)）隔離開關(guān)，**后合上斷路器的順序操作。2）線路停電時，應(yīng)從負荷側(cè)進行，拉開斷路器后，檢查斷路器...

美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導(dǎo)體電力電子器...

T是電流流過導(dǎo)體的時間；依此公式我們不難看出保險絲的簡單的工作原理了。一種保險絲當制作保險絲的材料及其形狀確定了，其電阻R就相對確定了（若不考慮它的電阻溫度系數(shù)）。當電流流過它時，它就會發(fā)熱，隨著時間的增加其發(fā)熱量也在增加。電流與電阻的大小確定了產(chǎn)生熱量的速度...

4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適...

數(shù)，分析負荷發(fā)展趨勢。從負荷增長方面闡明了建站的必要性，然后通過對擬建變電站的概括以及出線方向來考慮，并通過對負荷資料的分析，安全，經(jīng)濟及可靠性方面考慮，確定了110kV，35kV，10kV以及站用電的主接線，然后又通過負荷計算及供電范圍確定了主變壓器臺數(shù)，容...

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流，也可在整流級中使用晶閘...

共54頁目錄基礎(chǔ)檢驗批質(zhì)量驗收記錄表構(gòu)架及遮欄檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電力變壓器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表互感器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表高壓斷路器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表隔離開關(guān)、負荷開關(guān)及高壓熔斷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表避雷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電容器、電抗器檢驗批質(zhì)量驗收記錄...

環(huán)境溫度越高，保險絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運行會延長保險絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險絲在額定電壓下能夠確實熔斷的**大許可電流。短路時，保險絲中會多次通過比正常工作電流大的瞬時過載電流。安全運行要...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更...

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤...

其閘流特性表現(xiàn)為當可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當?shù)恼蚩刂齐妷簳r，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的...

在恢復(fù)電流快速衰減時，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一...

這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于.℃)，因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是...

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上)，能實現(xiàn)電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現(xiàn)，不限于本實施例，任意可實現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功率開關(guān)管及所...

且收納箱6的內(nèi)壁預(yù)留有第三凹槽7，第三凹槽7的內(nèi)壁設(shè)置有孔洞8，且孔洞8的內(nèi)部安裝有滑塊9，并且滑塊9的頂部固定有托板10，托板10與滑塊9之間為焊接連接，且滑塊9與孔洞8構(gòu)成卡合結(jié)構(gòu)，通過安裝在收納箱6內(nèi)部的托班，向外拉動托板10，通過滑塊9在第三凹槽7內(nèi)部...

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個...

圖4為初選某品牌35A熔斷器的時間-電流特性，在圖4的基礎(chǔ)上，比對尖峰電流的持續(xù)時間及峰值。圖4（左）某品牌35A熔斷器時間-電流特性圖5（右）實測沖擊電流圖5為用示波器配合電流互感器測得負載的沖擊電流波形，1V對應(yīng)電流值25A。黑色波形為示波器電流探頭測得波...

共54頁目錄基礎(chǔ)檢驗批質(zhì)量驗收記錄表構(gòu)架及遮欄檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電力變壓器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表互感器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表高壓斷路器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表隔離開關(guān)、負荷開關(guān)及高壓熔斷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表避雷器檢驗批質(zhì)量驗收記錄表電容器、電抗器檢驗批質(zhì)量驗收記錄...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V...

一插片、第二插片之間通過線圈架隔開，可以明顯增大爬電距離，從而提高了電氣性能和可靠性，提升了產(chǎn)品質(zhì)量；而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側(cè)，減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個繞組的二次損傷。附圖說明圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型的圖。圖3為本...

限流式熔斷器（current-limitingfuse）是具有限制短路電流能力并能迅速切斷故障電流的封閉式熔斷器。其結(jié)構(gòu)特點是將熔體置于充滿石英砂的封閉瓷管中制成。也有采用串聯(lián)附加限流電阻，以限制短路電流并降低電流切斷時引起的過電壓。[1]中文名限流式熔斷器外...

并且兩個為對稱設(shè)置，在所述一限位凸部101上設(shè)有凹陷部11，所述一插片21嵌入到所述凹陷部11當中。具體的，所述第二插片22為金屬銅片，在所述一限位凸部101上設(shè)有插接槽100，所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100當中；并且在所述插接槽100的內(nèi)壁上設(shè)...

所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d經(jīng)由所述漏極基島15...

3壽命計算及驗證熔斷器壽命計算參考熔斷器負載電流波形及Ⅰ2t曲線，Ⅰ2t曲線的一般形式見圖2（以某品牌40A直流高壓熔斷器為例）。圖2某品牌40A熔斷器Ⅰ2t曲線圖根據(jù)圖2，從理論上來看，當通過電流為熔斷器額定電流50%時，熔斷器能夠保證持續(xù)工作而不非正常熔斷...

2）對于音頻信號而言，由于高頻濾波電容C1的容量很小，它對音頻信號的容抗很大，相當于開路，所以音頻信號也不能被C1旁路到地線。3）對于高頻載波信號而言，其頻率很高，C1對它的容抗很小而呈通路狀態(tài)，這樣惟有檢波電路輸出端的高頻載波信號被C1旁路到地線，起到高頻濾...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊的優(yōu)點：體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高...

經(jīng)常接觸高壓電容器的人們就會知道在理想中的可變高壓電容，當動片固定在某一位置以后，全部工作時間內(nèi)高壓電容器的該位置上電容量應(yīng)當固定不變。但實際上由于外界因素的影響，其電容量存在一些變化的，其他電容也是一樣(金屬化電容、瓷片電容等)。其變化程度就是電容量穩(wěn)定性的...

數(shù)，分析負荷發(fā)展趨勢。從負荷增長方面闡明了建站的必要性，然后通過對擬建變電站的概括以及出線方向來考慮，并通過對負荷資料的分析，安全，經(jīng)濟及可靠性方面考慮，確定了110kV，35kV，10kV以及站用電的主接線，然后又通過負荷計算及供電范圍確定了主變壓器臺數(shù)，容...

而這正是所希望的結(jié)果。在正常工作狀態(tài)，電路內(nèi)部的**取樣電阻對負載電流周期性地進行采樣，因此避免了因過流導(dǎo)致災(zāi)難性后果出現(xiàn)。因此，內(nèi)部過熱保護電路為變換器提供了安全工作區(qū)（SAO）。其中MAX668是一個開關(guān)控制器，由它完成升壓功能。電流反饋型升壓控制器（MA...