碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能，UPS，工業，汽車等應用：主要集中在光伏儲能中的逆變器，數據中心服務器的UPS電源，智能電網充電站等需要轉換效率較高的領域。但是隨著近些年電動和混合動力汽車（xEV）的發展，SiC也在這個新領域迅速崛起，輻射的產業包括能源（PV，EV充電，智能電網等）、汽車（OBC,逆變器）、基礎設施（服務器）等。與常規硅相比，WBG材料具有相對較寬的能帶隙（在價帶和導帶之間）。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是當今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性。 碳化硅大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等...

由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優越硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物。上海碳化...

綠碳化硅是以石油焦和優越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為較佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發射或檢測短波長的光, 用以制作藍色發光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器。一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。虹口區碳化硅廠家有哪些 與傳統...

加工制砂、微粉生產企業300多家，年生產能力200多萬噸。2012年，中國碳化硅產能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業有加工制砂微粉生產線。碳化硅加工制砂微粉生產企業主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。中國碳化硅冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗達到水平。黑、綠碳化硅原塊的質量水平也屬。中國碳化硅與世界先進水平的差距主要集中在四個方面：一是在生產過程中很少使用大型機械設備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產量較低；二是在碳化硅深加工產品上，對粒度砂和微粉產品的質量管理不夠精細，產品質量的穩定性不夠；三是某些前端產品的性能指標與發達國家同類產品相比有一定差距；四是冶煉過程中一氧化碳...

許多物質化合物以稱為多晶型物的不同晶體結構存在。碳化硅在這方面非常獨特，因為研究人員已經鑒定出250多種不同的碳化硅多晶型物。3C-SiC和4H-SiC由于其優越的半導體性能而成為較常用的多型體。本文使用的SiC晶體管基于4H-SiC。用eV表示的能隙是結晶固體中電子的導帶底部和價帶頂部之間的差。半導體表現出1 eV

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優化用于低開關頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關頻率范圍內提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯。目前，可以獲得額定電流高達200A的硅IGBT和傳統續流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此，不得不并聯大量的SiC晶片以實現大額定功率。考慮到SiC器件的快速開關特性和振蕩趨勢，需要低電感模塊設計和DCB基板上優化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模塊與130...

綠碳化硅是以石油焦和優越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為較佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發射或檢測短波長的光, 用以制作藍色發光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。普陀區碳化硅定制 目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械...

碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學成分，提高鋼的質量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種。楊浦區碳化硅哪家好 ...

綠碳化硅是以石油焦和優越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為較佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發射或檢測短波長的光, 用以制作藍色發光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器。一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。閔行區碳化硅批發哪家好 碳化硅...

如果只算碳化硅芯片，在功率半導體方面碳化硅的對比傳統硅基功率芯片，有著無可比擬的優勢：碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個功率器件模組更加輕巧、節能、輸出功率更強，同時還增強了可靠性，優點十分明顯，具體總結如下： 1、更低的阻抗，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率； 2、適用于更高頻率和更快的開關速度； 3、較佳的高溫特性，能在更高溫度下工作。 晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。長寧區碳化硅生產廠家 碳化硅（SiC）功率器件耐高溫、抗輻射、具有較高...

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業前景較明朗的半導體材料，堪稱半導體產業內新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發現碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發現一種碳的化合物，這就是碳化硅初次合成和發現。在經歷了百年的探索之后，特別是進入21世紀以后，人類終于理清了碳化硅的優點和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業得到較快發展。相比傳統的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。碳化硅以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超...

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。在半導體業內從材料端分為： 一代元素半導體材料：如硅（Si）和鍺(Ge)； 第二代化合物半導體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等； 第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業前景較明朗的半導體材料，堪稱半導體產業內新一代“黃金賽道”。碳化硅大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐...

第三代半導體材料有非常獨特優異的性能優勢。寬禁帶，單個器件可以承載上萬伏電壓;熱導率高，工作可靠性強;載流子遷移率高、工作頻率大，省電節能;把這些優異性能全部整合在碳化硅材料之上，其性能就會指數級地提升，用途也會更為普遍。碳化硅晶片是5G芯片較理想的襯底。而5G通訊即將帶來的生活的便捷高效，帶來物聯方式的變革，將推動整個經濟社會的大變革。碳化硅材料應用還可以推動碳達峰、碳中和。比如未來新能源汽車對燃油汽車的替代等，都會帶來極大的市場變革。用以制成的耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。青浦區碳化硅工廠 碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結溫只為 ...

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分而制成各種粒度的產品。嘉定區碳化硅售價 但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。在...

在10A的額定電流下，硅續流二極管展現出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關聯差別很大：快速硅二極管具有負的溫度系數，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對于12A以上的電流，CAL的溫度系數為正，SiC肖特基二極管即使電流為4A時，溫度系數也為正。由于二極管通常并聯以實現大功率器件，需要具有正溫度系數以避免并聯二極管中的電流不平衡和運行溫度不均勻。這里，SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能。但與常規硅二極管相比，SiC肖特基二極管的靜態損耗較高。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高較大電流密度。黃浦區碳化硅哪家便宜 碳化硅...

根據中國機床工業協會磨料磨具專委會碳化硅**人員會的數據，截至2012年底，全球碳化硅產能達260萬噸以上，產能達到1萬噸以上的國家有13個，占全球總產能的98%。其中中國碳化硅產能達到220萬噸，占全球總產能的84%。中國碳化硅冶煉企業主要分布在甘肅、寧夏、青海、新疆、四川等地，約占總產能85%。2012年在中國經濟發展速度放緩的情況下，生產情況普遍不理想，加之光伏企業舉步維艱，碳化硅作為耐材、磨料和光伏行業的基礎原材料，出口和內銷均大幅下滑。綠碳化硅微粉加工企業更是身陷光伏企業的債務鏈條，多數冶煉企業沒有開工，或者短暫開工后即停產。碳化硅可以稱為金鋼砂或耐火砂。徐匯區碳化硅有哪些品牌 碳...

目前的碳化硅拋光方法存在著材料去除率低、成本高的問題，且無磨粒研拋、催化輔助加工等加工方法，由于要求的條件苛刻、裝置操作復雜，目前仍處在實驗室范圍內，批量生產的實現可能性不大。人類1905年 一次在隕石中發現碳化硅，現在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，行業跨度大，可用于單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等、太陽能光伏產業、半導體產業、壓電晶體產業工程性加工材料。碳化硅晶片是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物相傳輸法（PVT） 生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片。 碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。寶山區碳化硅大概多少錢 如果只算碳化硅芯...

利用良好的導熱和熱穩定性，作熱交換器，燃耗減少20%，節約燃料35%，使生產率提高20-30%，特別是礦山選廠用排放輸送管道的內放，其耐磨程度是普通耐磨材料的6-7倍。磨料粒度及其組成按GB/T2477--83。磨料粒度組成測定方法按GB/T2481--83。合成碳化硅（Synthetic Moissanite）又名合成莫桑石、合成碳硅石（化學成分SiC），色散0.104，比鉆石（0.044）大，折射率2.65-2.69（鉆石2.42），具有與鉆石相同的金剛光澤，“火彩”更強，比以往任何仿制品更接近鉆石。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。青浦區碳化硅廠 利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強...

近期，基板質量的進步已經導致SiC器件的良率和可靠性的顯著提高。襯底的這種可用性以及更高的可用性極大地提高了這些晶體管的效率和制造成本，從而促進了它們在諸如車載充電器和牽引逆變器之類的電動汽車系統中的普遍采用。憑借SiC晶體管可實現更高效率和更高的開關頻率，從而減小了磁性元件的尺寸，WBG材料推動了SiC在工業市場上許多功率轉換領域的采用，這是汽車應用所獲得的收益。碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物相輸運（PVT）法，在超過2000℃的高溫下，將碳粉和硅粉通過高溫分解成原子，通過溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種...

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用較普遍、較經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。碳化硅是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發現的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說的艾奇遜...

開關頻率高于20KHz時，全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外，輸出功率對開關頻率的依賴也小。反過來，全SiC功率模塊可用于非常高的開關頻率，因為與10kHz時的輸出功率相比，40kHz時的輸出功率只低28%。當開關頻率低于5kHz時，IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關頻率而優化的。針對較低開關頻率的優化也是可能的。再次，通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積，來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中，輸出功率除以芯片面積得到功率密度。 碳化硅在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結晶構造（似纖維鋅礦）。...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統Si基半導體器件散熱片體積的對比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統，一套是引擎冷卻系統，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設備的冷...

利用良好的導熱和熱穩定性，作熱交換器，燃耗減少20%，節約燃料35%，使生產率提高20-30%，特別是礦山選廠用排放輸送管道的內放，其耐磨程度是普通耐磨材料的6-7倍。磨料粒度及其組成按GB/T2477--83。磨料粒度組成測定方法按GB/T2481--83。合成碳化硅（Synthetic Moissanite）又名合成莫桑石、合成碳硅石（化學成分SiC），色散0.104，比鉆石（0.044）大，折射率2.65-2.69（鉆石2.42），具有與鉆石相同的金剛光澤，“火彩”更強，比以往任何仿制品更接近鉆石。碳化硅的工業制法是用優良石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。長寧區碳化硅批發公司 碳化硅（Si...

碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領域應用可以減輕輻射屏蔽設備的重量。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現在三方面： （1）提高頻率，簡化供電網絡； （2）降低損耗，減少溫升。 （3）縮小體積，提升效率。較大的增長機會在汽車領域，尤其是電動汽車。基于SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術正在進入系統的關鍵部分——牽引逆變器。牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。SiC正在進軍車載充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。車載充電器通過電網為車輛充電。純碳化硅為無色，而工業生產之棕...

由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優越硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。松江區碳化硅廠商哪家好 碳...

碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。可預見的未來內，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用場景。特斯拉作為技術先驅，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他車企亦皆計劃擴大碳化硅的應用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術的逐步成熟，碳化硅功率器件行業未來可期。碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的重要材料按照歷史進程分為：一代半導體材料（大部分為目前普遍使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵） 。碳化硅因其優越的物理性能：高禁...

電動汽車的電動機是有源負載，其轉速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調速系統要復雜，因此，其驅動系統是決定電動汽車性能的關鍵所在。隨著電動汽車的發展，對電力電子功率驅動系統提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠。常用的半導體材料，尤其是各種電子產品中的處理器、存儲器等芯片，通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來的。而實際上還有一類半導體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導體就是其中之一。α-碳化硅為較常見的一種同質異晶物。崇明區碳化硅怎么樣 由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高...

目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等。化學機械拋光（CMP）技術是目前半導體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現局部和全局平坦化的實用技術。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應速率決定。通過研究工藝參數對SiC材料拋光速率的影響，結果表明：旋轉速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應盡量提高轉速，雖然增加拋光壓力...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統Si基半導體器件散熱片體積的對比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統，一套是引擎冷卻系統，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設備的冷...

碳化硅是全球較先進的第三代半導體材料。和一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的重要材料，尤其是在航天、**等領域有著不可替代的優勢。N型碳化硅晶片的作用是用于制造電力電子器件，可用于電動汽車。據介紹，目前的電動汽車續航還是個問題。如果用上碳化硅晶片的話，就能在電池不變的情況下，使汽車的續航力增加10%左右。雖然碳化硅在電動汽車上的應用才剛剛起步，但每生產一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅，按照我國電動汽車保有量每年增長70%的速度來看，碳化硅只在電動汽車領域就將帶動一個千億級的產業集群。碳...