目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等。化學機械拋光（CMP）技術是目前半導體...

硅鐵在其他領域的應用除了上述應用領域外，硅鐵在其他領域也有廣泛的應用。如在橡膠行業中，硅鐵可以作為添加劑來提高橡膠的耐磨性和耐候性。此外，硅鐵還可以用于鑄造、電子和電池等行業。硅鐵的未來發展與趨勢隨著科技的不斷進步和市場需求的不斷變化，硅鐵的未來發展將更加注重...

是什么影響了高碳錳鐵冶煉原料的質量?錳礦石中錳含量波動1%，焦炭比波動50~80kg，產量波動3%~5%，因此對錳礦石中錳含量的要求越高越好。原料中的有害雜質:原料中的雜質與硫磷有害，因為它們進入鉻鐵合金，會影響鋼材和鋼材的質量。原料的大小對熔煉過程有很大的影...

錳鐵的生產方法錳鐵的生產方法主要有兩種：電爐熔煉法和礦熱爐熔煉法。其中，電爐熔煉法是主要的生產方法，其產量約占錳鐵總產量的90%以上。電爐熔煉法的生產成本較低，且可以通過調節電流和電壓來控制生產過程中的溫度和成分。礦熱爐熔煉法則是一種較為先進的生產方法，其主要...

隨著電動汽車以及其他系統的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地。基于氮化鎵（GaN）的功率半導體也正在出現。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶...

硅鐵是煉鋼工業中必不可少的脫氧劑。炬鋼中，硅鐵用于沉淀脫氧和擴散脫氧。磚坯鐵還作為合金劑用于煉鋼中。鋼中添加一定數量的硅，能明顯提高鋼的強度、硬度和彈性，提高鋼的磁導率，降低變壓器鋼的磁滯損耗。一般鋼中含硅0.15%-0.35%，結構鋼中含硅0.40%～1.7...

硅鐵就是鐵和硅組成的鐵合金。 硅鐵是以焦炭、鋼屑、石英（或硅石）為原料，用電爐冶煉制成的鐵硅合金。由于硅和氧很容易化合成二氧化硅，所以硅鐵常用于煉鋼時作脫氧劑，同時由于SiO2生成時放出大量的熱，在脫氧的同時，對提高鋼水溫度也是有利的。同時，硅鐵還可作為合金元...

錳鐵生產的特點不同于煉鋼，它不要求有足夠高的溫度以保證爐后澆注順利進行,而只要求錳鐵和渣能正常出爐即可。但根據熱力學知識，用碳量和冶煉溫度不同，可以得到不同的產品。對于冶煉高碳錳鐵，要求爐內溫度不能低于1400℃。從氧化物熔融還原過程動力學來看，由于錳鐵冶煉過...

加工制砂、微粉生產企業300多家，年生產能力200多萬噸。2012年，中國碳化硅產能利用率不足45%。約三分之一的冶煉企業有加工制砂微粉生產線。碳化硅加工制砂微粉生產企業主要分布在河南、山東、江蘇、吉林、黑龍江等省。中國碳化硅冶煉生產工藝、技術裝備和單噸能耗...

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。在半導體業內從材料端分為： 一代元素半導體材料：...

SiC的硬度只次于金剛石，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進行機械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率較高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不只具有高硬度的特點，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室...

第三代半導體材料有非常獨特優異的性能優勢。寬禁帶，單個器件可以承載上萬伏電壓;熱導率高，工作可靠性強;載流子遷移率高、工作頻率大，省電節能;把這些優異性能全部整合在碳化硅材料之上，其性能就會指數級地提升，用途也會更為普遍。碳化硅晶片是5G芯片較理想的襯底。而...

碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領域應用可以減輕輻射屏蔽設備的重量。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現在三方面： （1）提高頻率，簡化供電網絡； （2）降低損耗，...

利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫、強度大、導熱性能良好、抗沖擊等特性，碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯、高溫爐窯構件、碳化硅板、襯板、支撐件、匣缽、碳化硅坩堝等。另一方面可用于有色金屬冶煉工業的高溫間接加熱材料，如豎罐蒸餾爐、精餾爐塔盤、鋁電解槽、銅熔化爐內襯、鋅...

目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等?；瘜W機械拋光（CMP）技術是目前半導體...

在開關電源系統中，二極管一般被用作整流、續流保護等。用做整流時，經常會因為整流二極管的反向恢復時間過長，進而導致轉換效率降低，發熱增加。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復問題，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V），再加上降額設計...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術。之前，這項技術只掌握在美國人手里，且長期對我國技術封鎖。過去，我國的半導體材料長期依賴國外進口，由此帶來的問題就是半導體材料價格昂貴、渠道不穩，隨時都可能面對禁運的風險，而且產品...

SiC 主要應用于微波領域，非常適合在雷達發射機中使用；使用它可明顯提高雷達發射機的輸出功率和功率密度，提高工作頻率和工作頻帶寬度，提高雷達發射機的環境溫度適應性，提高抗輻射能力。和普通硅（Si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優勢非常明顯。...

2012年全年中國黑碳化硅產能沒有正常釋放，一方面是成交緩慢，庫存消耗慢,占壓資金量大，另一方面是下游玩業消費商回款時間長，欠款現象嚴重，導致某些企業資金鏈緊張。2012年中國黑碳化硅的主產地為寧夏和甘肅，青海和新疆的原有產能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的...

與傳統硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統硅基器件的10倍，導熱系數是傳統硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標均優于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達600℃...

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質合金、鈦合金和...

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業前景較明朗的半導體材料，堪稱半導體產業內新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發現碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發現一種碳的化合物，這就是碳化硅初次合成和發現。在經歷了百年的探索之后，特別是進入21世紀以后，人類...

綠碳化硅是以石油焦和優越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為較佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率...

在一定的溫度和化學成分相同的條件下，鐵液中碳的飽和濃度一定。鑄鐵中碳的溶解極限為([C%]=1.3+0.0257T－0.31[Si%]－0.33[P%]－0.45[S%]+0.028[Mn%]（T為鐵液溫度）。在一定飽和度下，增碳劑加入量越多，溶解擴散所需時...

由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻...

各種增碳劑中，品質較好的是人造石墨。制造人造石墨的主要原料是粉狀的優越煅燒石油焦，在其中加瀝青作為粘結劑，再加入少量其他輔料。各種原材料配合好以后，將其壓制成形，然后在2500～3000℃、非氧化性氣氛中處理，使之石墨化。經高溫處理后，灰分、硫、氣體含量都大...

因此，在實際生產中應強調增碳劑的使用和增碳效果： ①增碳劑的吸收率與其 C 含量直接相關，C 含量越高，則吸收率越高。 ②增 碳劑的粒度是影響其溶入鐵水的主要因素，實踐證明，增碳劑的粒度應以 1~4mm 為好，有微粉和粗 粒增碳效果都不好。 ③硅對增碳效果有...

用于鑄造，鑄鐵、鑄鋼，鑄件會有對碳的一個要求，那么增碳劑顧名思義就是來增加鐵液中的碳含量，又比如說，在熔煉中常用爐料為生鐵、廢鋼、回爐料，生鐵的碳含量高，但是卻采購價格相對廢鋼來說是要高出一節的，所以增加廢鋼投放量，降低生鐵投放量，加增碳劑，能起到一定的降低...

在10A的額定電流下，硅續流二極管展現出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關聯差別很大：快速硅二極管具有負的溫度系數，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對于12A以上的電流，CAL的溫...