目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等。化學機械拋光（CMP）技術是目前半導體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現局部和全局平坦化的實用技術。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應速率決定。通過研究工藝參數對SiC材料拋光速率的影響，結果表明：旋轉速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應盡量提高轉速，雖然增加拋光壓力也可提高去除速率，但容易損壞拋光墊。碳化硅具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。上海碳化硅廠商
于常規硅二極管相比，SiC肖特基二極管的反向恢復電流IRRM要低50%以上，反向恢復電荷QRR降低了14倍，關斷損耗Eoff降低了16倍。Si-快速二極管顯示了比常規硅二極管更好的特性，但它不會達到SiC肖特基二極管那樣的優異動態特性。由于SiC肖特基二極管動態損耗低，可以明顯減少逆變器損耗，節約用于冷卻的開支并且增加逆變器的功率密度。此外，低動態損耗使SiC肖特基二極管非常適合高開關頻率。另一方面，快速開關的續流二極管可能有個缺點，反向電流非常陡峭的下降可能導致電流截止和振蕩。金山區碳化硅生產商α-碳化硅為較常見的一種同質異晶物。
與傳統硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統硅基器件的10倍，導熱系數是傳統硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標均優于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達600℃，遠高于硅器件工作溫度。技術成熟度較高，應用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導通損耗,從而能獲得更高的整機效率。
碳化硅（SiC）功率器件耐高溫、抗輻射、具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工作，特別是與傳統的硅（Si）功率器件相比，碳化硅功率器件可將功耗降低一半，因此可大幅度降低開關電源、電機驅動器等電路的熱耗、體積和重量。雖然，碳化硅功率器件在近幾年才向市場推廣，但目前已應用于混合動力汽車和電動汽車設備中，正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優點，把碳化硅功率器件向航天電子產品中推廣就具有了很重要的實際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產品中的應用：根據上述分析，結合航天實際，碳化硅功率器件在航天電子產品中的應用主要集中在下面幾個領域。μ-碳化硅較為穩定，且碰撞時有較為悅耳的聲音，但直至現在，這兩種型態尚未有商業上之應用。
從出口 13個關別分析，天津港走貨量高達9.16萬噸，占出口總量的55.64%，仍位列一；青島、大連、南京和上海港分別占15.98%、13.14%、11.49%和3.08%，位列第二至五位，其中大連關出貨量同比下滑幅度較高；以上5個關別出口量總和占出口總量的99.33%。從各月出口情況分析，出口量上半年逐月提高，下半年跳躍較大，但當月平均單價一降再降，第二季度全方面跌破2000美元，三季度末止跌回穩，但只在9月站上了2000美元，便又在第四季度一路下滑，全年較低價格出現在11月，為1345.58美元/噸，比全年2月的較高價格下跌了42.1%。 碳化硅適合做為軸承或高溫爐之原料物件。崇明區碳化硅需要多少錢
具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一。上海碳化硅廠商
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。可預見的未來內，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用場景。特斯拉作為技術先驅，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他車企亦皆計劃擴大碳化硅的應用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術的逐步成熟，碳化硅功率器件行業未來可期。碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的重要材料按照歷史進程分為：一代半導體材料（大部分為目前普遍使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵） 。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來較被普遍使用的制作半導體芯片的基礎材料。 上海碳化硅廠商