碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領域應用可以減輕輻射屏蔽設備的重量。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現在三方面: (1)提高頻率,簡化供電網絡; (2)降低損耗,減少溫升。 (3)縮小體積,提升效率。較大的增長機會在汽車領域,尤其是電動汽車?;赟iC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置,而這項技術正在進入系統的關鍵部分——牽引逆變器。牽引逆變器為電動機提供牽引力,以推動車輛前進。SiC正在進軍車載充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。車載充電器通過電網為車輛充電。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色。浦東新區碳化硅廠
電動汽車的電動機是有源負載,其轉速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調速系統要復雜,因此,其驅動系統是決定電動汽車性能的關鍵所在。隨著電動汽車的發展,對電力電子功率驅動系統提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠。常用的半導體材料,尤其是各種電子產品中的處理器、存儲器等芯片,通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來的。而實際上還有一類半導體是基于化合物晶體制造的,SiC(碳化硅)半導體就是其中之一。長寧區碳化硅咨詢碳化硅比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。
盡管當前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ,但生產SiC器件的技術仍處于學習曲線的早期階段。因此,我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是,對于給定的導通電阻和擊穿電壓,SiC MOSFET所需的管芯面積比常規硅MOSFET顯著更少。因此,它將具有較小的電容和較低的柵極電荷,這轉化為較低的開關損耗和較高的效率。較高的導熱率反映為較低的熱阻。SiC MOSFET的面積相等時,其熱阻要低得多,從而可以降低工作結溫。盡管先前描述了所有優點,但以前SiC晶體管的高成本使其只能用于優越工業市場(例如,石油鉆探電源,電源系統等)的專門用應用中。影響其成本的主要因素歸因于諸如SiC襯底的成本較高和可用性較低,SiC制造工藝的成本較高以及生產率較低(主要歸因于襯底的缺陷密度較高)等因素。
中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主,出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%,共出口到59個國別和地區,比2011年增加了6個。出口數量在千噸以上的國別和地區依次為日本、美國、韓國、、泰國、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德國,這10個國家和地區的合計出口數量為15.26萬噸,占出口總量的92.64%。其中位列前四名的國別和地區出口數量占比分別為30.55%、23.25%、15.5%和13.63%,四個國別和地區的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國出口數量同比增長85.5%外,土耳其和德國的數量同比增長引人注目,但主銷國別和地區數量同比還是有較大程度下滑,其中對日本和美國的出口數量下滑幅度均達約40%。具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。
隨著電動汽車以及其他系統的增長,碳化硅(SiC)功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地?;诘墸℅aN)的功率半導體也正在出現。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下,SiC的帶隙為3.3 eV,GaN的帶隙為3.4 eV。SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產流程中,專門的SiC襯底被開發出來,然后在晶圓廠中進行加工,得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術都是專門用晶體管,它們可以在高電壓下開關器件的電流。它們用于電力電子領域,可以實現系統中電力的轉換和控制。 碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。長寧區碳化硅咨詢
通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物。浦東新區碳化硅廠
由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異,SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。目前我國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優越硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,性脆而鋒利。浦東新區碳化硅廠
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