碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經成為全球發展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠未被全部挖掘。因為如果從產業鏈中游來看，我國第三代半導體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發展的一大動力。半導體產業發展至今經歷了三個階段，一代半導體材料以硅為反映;第二代半導體材料砷化鎵也已經普遍應用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為反映的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優勢顯著。 碳化硅以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工。浦東新區碳化硅介紹
隨著電動汽車以及其他系統的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地。基于氮化鎵（GaN）的功率半導體也正在出現。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶隙為3.4 eV。SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產流程中，專門的SiC襯底被開發出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術都是專門用晶體管，它們可以在高電壓下開關器件的電流。它們用于電力電子領域，可以實現系統中電力的轉換和控制。 浦東新區碳化硅介紹具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一。
2012年全年中國黑碳化硅產能沒有正常釋放，一方面是成交緩慢，庫存消耗慢,占壓資金量大，另一方面是下游玩業消費商回款時間長，欠款現象嚴重，導致某些企業資金鏈緊張。2012年中國黑碳化硅的主產地為寧夏和甘肅，青海和新疆的原有產能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶煉產能，共計76.9萬噸， 2012年總產量約為34萬噸，黑碳化硅冶煉企業的產能利用率約為44.5%。中國綠碳化硅冶煉的主產地是甘肅、青海、新疆和四川。四川主要靠水力發電站供電，受到枯水期電力短缺的影響，一年的生產時間只在4-10月份，較長能堅持6個月的生產，但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工，主要因為市場需求疲軟，庫存難以消耗。
第三代半導體材料有非常獨特優異的性能優勢。寬禁帶，單個器件可以承載上萬伏電壓;熱導率高，工作可靠性強;載流子遷移率高、工作頻率大，省電節能;把這些優異性能全部整合在碳化硅材料之上，其性能就會指數級地提升，用途也會更為普遍。碳化硅晶片是5G芯片較理想的襯底。而5G通訊即將帶來的生活的便捷高效，帶來物聯方式的變革，將推動整個經濟社會的大變革。碳化硅材料應用還可以推動碳達峰、碳中和。比如未來新能源汽車對燃油汽車的替代等，都會帶來極大的市場變革。要制成碳化硅微粉還要經過水選過程，要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。
全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優化用于低開關頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關頻率范圍內提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯。目前，可以獲得額定電流高達200A的硅IGBT和傳統續流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此，不得不并聯大量的SiC晶片以實現大額定功率。考慮到SiC器件的快速開關特性和振蕩趨勢，需要低電感模塊設計和DCB基板上優化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模塊與1300A的常規硅模塊相對比。 IGBT模塊利用2塊并聯的DCB基板，每個基板配有并聯的9個75A溝道IGBT，連同5個100A CAL續流二極管。碳化硅的工業制法是用優良石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。黃浦區碳化硅工廠
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。浦東新區碳化硅介紹
碳化硅主要有四大應用領域，即：功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術產品，而技術含量極高 的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。 ⑴ 作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。 ⑵ 作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。 ⑶ 高純度的單晶，可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。 主要用途：用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等線切割。太陽能光伏產業、半導體產業、壓電晶體產業工程性加工材料。 浦東新區碳化硅介紹
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