igbt與mos管的區別

過流與短路保護是兩個概念，它們既有聯系也有區別。過流大多數是指某種原因引起的負載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經過開關IGBT的無負載回路，它們的保護方法也有一定區別。如過流保護常用電流檢也傳感器，短路保護常通過檢測IGBT飽和壓降，配合驅動電路來實現。不同的功率有不同的方法來實現過流或短路保護。由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅動電壓電流，設置結電容釋放 回路等）。但是為了防止關斷延遲效應造成上下橋臂直通，因為一個橋臂未完全關斷，而另一橋臂又處于導通狀態，直通炸模塊后后果非常嚴重（的結果是過 熱）。選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。igbt與mos管的區別

IGBT模塊是下游產品中的關鍵部件，其性能表現、穩定性和可靠性對下游客戶來說至關重要，因此認證周期較長，替換成本高。對于新增的IGBT供應商，客戶往往會保持謹慎態度，不僅會綜合評定供應商的實力，而且通常要經過產品單體測試、整機測試、多次小批量試用等多個環節之后，才會做出大批量采購決策，采購決策周期較長。因此，新進入本行業者即使研發生產出IGBT產品，也需要耗費較長時間才能贏得客戶的認可。目前國內具有相關實踐、經驗豐富的研發技術人才仍然比較缺乏，新進入的企業要想熟練掌握IGBT芯片或模塊的設計、制造工藝，實現大規模生產，需要花費較長的時間培養人才、學習探索及技術積累。IGBT驅動板通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品。

對于小功率IGBT模塊，通常采用直接串電阻的方法來檢測器件輸出電流，從而判斷過電流故障，通過電阻檢測時，無延遲；輸出電路簡單；成本低；但檢測電路與主電路不隔離，檢測電阻上有功耗，因此，只適合小功率IGBT模塊。比如：5.5KW以下的變頻器。對于率IGBT模塊的電流檢測與過流、短路保護，一種方法是仍然采用電阻檢測法，為了降低電阻產生功耗及發熱生產的影響，可把帶散熱器件的取樣電阻固定在散熱器上，以測量更大的電流。對于大、率IGBT模塊的電流檢測與過流保護常采用電流傳感器。但需注意要選擇滿足響應速度要求的電流傳感器。由于需要配置檢測電源，成本較高，但檢測電路與主電路隔離，適用于大功率的IGBT模塊。保護電路動作的時間須在10us之內完成。

功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導體新一代中的典型產品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的全控-電壓驅動的功率半導體，IGBT既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，也被譽為“電力電子器件里的CPU”。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。

過流與短路保護是兩個概念，它們既有聯系也有區別。過流大多數是指某種原因引起的負載過載；短路是指橋臂直通，或主電壓經過開關IGBT的無負載回路，它們的保護方法也有一定區別。如過流保護常用電流檢也傳感器，短路保護常通過檢測IGBT飽和壓降，配合驅動電路來實現。不同的功率有不同的方法來實現過流或短路保護。由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅動電壓電流，設置結電容釋放 回路等）。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品。IGBT中頻電源

功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關重要的作用。igbt與mos管的區別

IGBT 既可控制信號的導通、也可控制信號的關斷，是典型的全控型功率半導體器件，目前，以 IGBT 為的全控型功率半導體器件在工作頻率、工作電壓和信號控制性等方面的性能出眾，正逐步發展為率半導體器件的主流應用形態。新能源汽車中的功率半導體價值量提升十分，根據英飛凌的數據，新能源中汽車功率半導體器件的價值量約為傳統燃油車的5倍以上。其中，IGBT約占新能源汽車電控系統成本的37%，是電控系統中的電子器件之一，因此，未來新能源汽車市場的快速增長，有望帶動以IGBT為的功率半導體器件的價值量提升，從而有力推動IGBT市場的發展。igbt與mos管的區別

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